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文献
J-GLOBAL ID:200902107874542840   整理番号:01A0568435

自立型水素化物気相エピタクシーGaNの特性評価

Characterization of free-standing hydride vapor phase epitaxy GaN.
著者 (9件):
JASINSKI J
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
SWIDER W
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
LILIENTAL-WEBER Z
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
VISCONTI P
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
JONES K M
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
RESHCHIKOV M A
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
YUN F
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
MRKOC H
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
LEE K Y
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 78  号: 16  ページ: 2297-2299  発行年: 2001年04月16日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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