文献
J-GLOBAL ID:200902107874542840
整理番号:01A0568435
自立型水素化物気相エピタクシーGaNの特性評価
Characterization of free-standing hydride vapor phase epitaxy GaN.
著者 (9件):
JASINSKI J
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
SWIDER W
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
LILIENTAL-WEBER Z
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
VISCONTI P
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
JONES K M
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
RESHCHIKOV M A
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
YUN F
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
MRKOC H
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
LEE K Y
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
78
号:
16
ページ:
2297-2299
発行年:
2001年04月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)