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文献
J-GLOBAL ID：200902108046800270
整理番号：01A0059371
β-FeSi2活性領域のあるSiによる発光ダイオードからの室温1.6μmエレクトロルミネセンス
Room Temperature 1.6 μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi2 Active Region.
SUEMASU T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
NEGISHI Y
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TAKAKURA K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA F
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 10B ページ： L1013-L1015 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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