文献
J-GLOBAL ID:200902108109178621
整理番号:96A0656200
SiC結晶成長における最近の進展
Recent progress in SiC crystal growth.
著者 (4件):
TSVETKOV V F
(Cree Res., Inc., NC, USA)
,
ALLEN S T
(Cree Res., Inc., NC, USA)
,
KONG H S
(Cree Res., Inc., NC, USA)
,
CARTER C H JR
(Cree Res., Inc., NC, USA)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
142
ページ:
17-22
発行年:
1996年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)