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文献
J-GLOBAL ID：200902108164961076
整理番号：01A0830283
原子層蒸着による窒化けい素ゲート誘電体の低温形成
Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition.
NAKAJIMA A
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOSHIMOTO T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KIDERA T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA S
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 5 ページ： 665-667 発行年： 2001年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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