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文献
J-GLOBAL ID：200902108337029580
整理番号：00A0388985
(Al,Ga,In)Nヘテロ構造におけるAlxGa1-xN(x≦0.17)埋込層からの共鳴Raman散乱
Resonant Raman scattering from buried AlxGa1-xN(x≦0.17) layers in (Al,Ga,In)N heterostructures.
YOSHIKAWA M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
WAGNER J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
OBLOH H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
KUNZER M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
MAIER M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 6 ページ： 2853-2856 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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