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文献
J-GLOBAL ID：200902108346241150
整理番号：96A0711686
(Ga,Mn)As GaAsベースの新しい希釈磁性半導体
(Ga, Mn) As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs.
OHNO H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHEN A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MATSUKURA F
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OIWA A
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ENDO A
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KATSUMOTO S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IYE Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 3 ページ： 363-365 発行年： 1996年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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