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文献
J-GLOBAL ID：200902108422053600
整理番号：96A0429461
金属-誘発横方向結晶化による低温ポリシリコン薄膜トランジスタの製作
Low Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor Fabrication by Metal-Induced Lateral Crystallization.
LEE S-W
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
JOO S-K
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 17 号： 4 ページ： 160-162 発行年： 1996年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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