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文献
J-GLOBAL ID：200902108485158348
整理番号：00A0307288
Si基板上に堆積したYMnO3とSrBi2Ta2O9強誘電体薄膜とのメモリ効果の比較
Comparison of memory effect between YMnO3 and SrBi2Ta2O9 ferroelectric thin films deposited on Si substrates.
LEE H N
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Y T
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul)
,
CHOH S H
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 8 ページ： 1066-1068 発行年： 2000年02月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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