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文献
J-GLOBAL ID：200902108531008100
整理番号：98A0419910
純GaN基板上に成長した高出力,長寿命のInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオード
High-Power, Long-Lifetime InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Grown on Pure GaN Substrates.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
CHOCHO K
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 3B ページ： L309-L312 発行年： 1998年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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