文献
J-GLOBAL ID:200902108531745105
整理番号:00A0283084
分離したソースラインを持つ0.13μm金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体単一トランジスタメモリセル
0.13 μm Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Single Transistor Memory Cell with Separated Source Line.
著者 (5件):
FUJIWARA I
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
AOZASA H
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKAMURA A
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOMATSU Y
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
HAYASHI Y
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
39
号:
2A
ページ:
417-423
発行年:
2000年02月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)