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文献
J-GLOBAL ID：200902108585146258
整理番号：00A0725993
(0001)GaN薄膜中に形成した六角形エッチピットの起源
Origin of hexagonal-shaped etch pits formed in (0001) GaN films.
HONG S K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAO T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KIM B J
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
YOON S Y
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
KIM T I
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 1 ページ： 82-84 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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