文献
J-GLOBAL ID:200902108643589912
整理番号:96A0630796
多結晶けい素薄膜トランジスタのホットキャリア劣化におよぼすその場ドレインドーピングの効果
Effects of the in-situ drain doping on hot-carrier degradation in polysilicon thin film transistors.
著者 (5件):
PICHON L
(Univ. Rennes, Rennes, FRA)
,
RAOULT F
(Univ. Rennes, Rennes, FRA)
,
MOHAMED-BRAHIM T
(Univ. Rennes, Rennes, FRA)
,
BONNAUD O
(Univ. Rennes, Rennes, FRA)
,
SEHIL H
(Univ. Sibi Bel Abb<span style=text-decoration:overline>e`</span>s, DZA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
39
号:
7
ページ:
1065-1069
発行年:
1996年07月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)