文献
J-GLOBAL ID:200902108671476554
整理番号:93A0937354
改良したAlAs(001)表面上のAl膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of Al films on modified AlAs(001) surfaces.
著者 (3件):
MAEDA N
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
KAWASHIMA M
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
HORIKOSHI Y
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
7
ページ:
4461-4471
発行年:
1993年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)