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文献
J-GLOBAL ID：200902108684829065
整理番号：95A0141548
GaAs(100)基板上に有機金属気相エピタクシーによって成長させたAlGaAs層の格子緩和
Lattice relaxation of AlGaAs layers grown on GaAs(100) substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SANO K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KUWAHARA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TAKANO Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SATO M
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
IMAI T
(Meisei Univ., Ome, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 77 号： 1 ページ： 420-422 発行年： 1995年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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