前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902108684829065   整理番号:95A0141548

GaAs(100)基板上に有機金属気相エピタクシーによって成長させたAlGaAs層の格子緩和

Lattice relaxation of AlGaAs layers grown on GaAs(100) substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.
著者 (6件):
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
SANO K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
KUWAHARA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
TAKANO Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
SATO M
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
IMAI T
(Meisei Univ., Ome, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 77  号:ページ: 420-422  発行年: 1995年01月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。