文献
J-GLOBAL ID:200902108799674782
整理番号:97A0704969
高いN2圧でのIII-V窒化物及びGaNの熱力学特性
Thermodynamical properties of III-V nitrides and crystal growth of GaN at high N2 pressure.
著者 (2件):
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
178
号:
1/2
ページ:
174-188
発行年:
1997年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)