文献
J-GLOBAL ID:200902108842592361
整理番号:93A0505279
プロセスにおける耐静電気放電性(ESDロバストネス)について2次元デバイスシミュレーションを用いた予測
Prediction of ESD robustness in a process using 2-D device simulations.
著者 (3件):
AMERASEKERA A
(Texas Instruments Inc., TX)
,
CHATTERJEE A
(Texas Instruments Inc., TX)
,
CHANG M-C
(Texas Instruments Inc., TX)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
31st
ページ:
161-167
発行年:
1993年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)