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文献
J-GLOBAL ID：200902108864757275
整理番号：98A0823857
GaN基板上に成長させたへき開端面を有するInGaN/GaN/AlGaNに基づくレーザダイオード
InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with cleaved facets grown on GaN substrates.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KOZAKI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
UMEMOTO H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
CHOCHO K
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 6 ページ： 832-834 発行年： 1998年08月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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