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文献
J-GLOBAL ID：200902108928428912
整理番号：97A1020965
Zn1-xMnxTe/ZnTe多重量子井戸試料における磁場誘起タイプI-タイプII遷移
Magnetic-field induced type I to type II transition in Zn1-xMnxTe/ZnTe multiple quantum well samples.
KLAR P J
(Univ. East Anglia, Norwich, GBR)
,
WATLING J R
(Univ. East Anglia, Norwich, GBR)
,
WOLVERSON D
(Univ. East Anglia, Norwich, GBR)
,
DAVIES J J
(Univ. East Anglia, Norwich, GBR)
,
ASHENFORD D E
(Univ. Hull, Hull, GBR)
,
LUNN B
(Univ. Hull, Hull, GBR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 12 号： 10 ページ： 1240-1251 発行年： 1997年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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