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文献
J-GLOBAL ID：200902109077611472
整理番号：97A1036837
低電圧/高速フラッシュメモリのための新奇な高Kポリ層間絶縁体(IPD),Al2O3:3.3Vでのmsec消去
A Novel High K Inter-Poly Dielectric(IPD), Al2O3 for Low Voltage/High Speed Flash Memories: Erasing in msecs at 3.3V.
LEE W-H
(Bell Lab., NJ)
,
CLEMENS J T
(Bell Lab., NJ)
,
KELLER R C
(Bell Lab., NJ)
,
MANCHANDA L
(Bell Lab., NJ)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1997 ページ： 117-118 発行年： 1997年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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