前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902109152637849
整理番号：94A0163676
アバランシェ増倍率の非局所解析モデルによる最新のSi n-p-n BJTにおける衝突電離誘起スナップバックの予測
Prediction of Impact-Ionization-Induced Snap-Back in Advanced Si n-p-n BJT’s Means of a Nonlocal Analytical Model for the Avalanche Multiplication Factor.
VERZELLESI G
(Univ. Padova, Padova, ITA)
,
BACCARANI G
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
,
CANALI C
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
PAVAN P
(Univ. Padova, Padova, ITA)
,
VENDRAME L
(Univ. Padova, Padova, ITA)
,
ZANONI E
(Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40 号： 12 ページ： 2296-2300 発行年： 1993年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。