文献
J-GLOBAL ID:200902109176955329
整理番号:01A0486845
高周波分子ビームエピタクシーによって成長させたナノ柱上に被覆成長させたGaN層の特性評価
Characterization of Overgrown GaN Layers on Nano-Columns Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy.
著者 (3件):
KUSAKABE K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KIKUCHI A
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KISHINO K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
40
号:
3A
ページ:
L192-L194
発行年:
2001年03月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)