文献
J-GLOBAL ID:200902109232002402
整理番号:98A0947961
SiとCを共注入した熱SiO2膜からの強い短波長光ルミネセンス
Intense short-wavelength photoluminescence from thermal SiO2 films co-implanted with Si and C ions.
著者 (8件):
ZHAO J
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
MAO D S
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LIN Z X
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
JIANG B Y
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
YU Y H
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LIU X H
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
WANG H Z
(Zhongshan Univ., Guangzhou, CHN)
,
YANG G Q
(Shanghai Inst. Metallurgy, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
73
号:
13
ページ:
1838-1840
発行年:
1998年09月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)