文献
J-GLOBAL ID:200902109241908180
整理番号:95A0173107
GaInAsSbをベースにした発光ダイオード(LED)ヘテロ構造における熱過程
Thermal processes in GaInAsSb-based light-emitting-diode(LED) heterostructures.
著者 (4件):
KOLCHANOVA N M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
POPOV A A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
SUKACH G A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
BOGOSLOVSKAYA A B
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
28
号:
12
ページ:
1137-1140
発行年:
1994年12月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)