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文献
J-GLOBAL ID：200902109354651304
整理番号：01A0760399
SiC基板上のGaNおよびInGaN発光ダイオードの工業的製造
Industrial production of GaN and InGaN-light emitting diodes on SiC-substrates.
ZEHNDER U
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
WEIMAR A
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
STRAUSS U
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
FEHRER M
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
HAHN B
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
LUGAUER H-J
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
HAERLE V
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 230 号： 3/4 ページ： 497-502 発行年： 2001年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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