文献
J-GLOBAL ID:200902109549685106
整理番号:98A0861335
ギガビットDRAMのための白金電極を使った新しいBST記憶キャパシタノード技術
A Novel BST Storage Capacitor Node Technology Using Platinum Electrodes for Gbit DRAMs.
著者 (9件):
KHAMANKAR R B
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
VISOKAY M R
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
MOISE T
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
XING G
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
NEMOTO S
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
HURD T Q
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
CRENSHAW D L
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
SUMMERFELT S
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
COLOMBO L
(Texas Instruments Inc., Texas)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1997
ページ:
245-248
発行年:
1997年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)