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文献
J-GLOBAL ID：200902109552423511
整理番号：93A0933506
シリコン膜のパルスレーザ融解による1μm以上の自己組織化結晶粒成長
Self Organized Grain Growth Larger then 1μm through Pulsed-Laser-Induced Melting of Silicon Films.
SAMESHIMA T
(Sony Research Center, Yokohama)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32 号： 10B ページ： L1485-L1488 発行年： 1993年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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