文献
J-GLOBAL ID:200902109858724949
整理番号:01A0777329
高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究
Low-Temperature Formation of High-k Gate Dielectric MIS Structure.
著者 (5件):
中尾慎一
(東北大 大学院工学研究科)
,
中川宗克
(東北大 大学院工学研究科)
,
大嶋一郎
(東北大 大学院工学研究科)
,
島田浩行
(東北大 大学院工学研究科)
,
大見忠弘
(東北大 未来科学技術共同研セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
101
号:
108(SDM2001 53-58)
ページ:
1-6
発行年:
2001年06月08日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)