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文献
J-GLOBAL ID：200902109859933614
整理番号：01A0482048
CMOS標準プロセスを用いた新規SnO2/Al離散型ゲートISFETpHセンサ
A novel SnO2/Al discrete gate ISFET pH sensor with CMOS standard process.
CHIN Y-L
(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)
,
CHOU J-C
(National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN)
,
SUN T-P
(National Chi Nan Univ., Nantou, TWN)
,
LIAO H-K
(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)
,
CHUNG W-Y
(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)
,
HSIUNG S-K
(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： B75 号： 1/2 ページ： 36-42 発行年： 2001年04月30日
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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