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文献
J-GLOBAL ID：200902109875440083
整理番号：01A1035824
サブハーフミクロンスマートパワー技術による高サイド,高電圧RESURF LDMOSの作成
Implementation of High-Side, High-Voltage RESURF LDMOS in a sub-half Micron Smart Power Technology.
ZHU R
(Motorola Inc., AZ, USA)
,
PARTHASARATHY V
(Motorola Inc., AZ, USA)
,
KHEMKA V
(Motorola Inc., AZ, USA)
,
BOSE A
(Motorola Inc., AZ, USA)
,
ROGGENBAUER T
(Motorola Inc., AZ, USA)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 13th ページ： 403-406 発行年： 2001年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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