文献
J-GLOBAL ID:200902109912029569
整理番号:98A0854032
高性能0.25μm世代CMOSによるアスペクト比0.63の優れた6.4μm2全CMOS SRAMセル
A Novel 6.4μm2 Full-CMOS SRAM Cell with Aspect Ratio of 0.63 in a High-Performance 0.25μm-Generation CMOS Technology.
著者 (7件):
KIM K J
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
YOUN J M
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM S B
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM J H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
HWANG S H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM K T
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
SHIN Y S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1998
ページ:
68-69
発行年:
1998年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)