文献
J-GLOBAL ID:200902109931337690
整理番号:94A0062590
分子ビームエピタクシーおよび有機金属化学蒸着によって成長させたAlInAs/InPの電気的性質に及ぼす成長温度の効果
The effect of growth temperature on the electrical properties of AlInAs/InP grown by molecular beam epitaxy and metal-organic chemical-vapor deposition.
著者 (4件):
LUO J K
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
,
THOMAS H
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
,
CLARK S A
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
,
WILLIAMS R H
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
11
ページ:
6726-6733
発行年:
1993年12月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)