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文献
J-GLOBAL ID：200902109943063749
整理番号：97A0247045
NEODIUM GALLATE基板上のGaNエピタキシャル成長
GaN epitaxial growth on neodium gallate substrates.
OKAZAKI H
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
ARAKAWA A
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
ASAHI T
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
ODA O
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
AIKI K
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 41 号： 2 ページ： 263-266 発行年： 1997年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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