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文献
J-GLOBAL ID：200902109969965228
整理番号：01A1009108
エキシマUV照射とシード層を用いたSrBi2Ta2O9強誘電体薄膜の作製と特性
Preparation and Properties of SrBi2Ta2O9 Ferroelectric Thin Films Using Excimer UV Irradiation and Seed Layer.
HAYASHI T
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
TOGAWA D
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 9B ページ： 5585-5589 発行年： 2001年09月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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