文献
J-GLOBAL ID:200902109982556892
整理番号:99A0975861
表面エレクトロマイグレーションによる単一ドメインSi(001)4×3-In表面の形成
Formation of single domain Si(001)4×3-In surface by surface electromigration.
著者 (4件):
KONO S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
GOTO T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMOMURA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ABUKAWA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
438
号:
1/3
ページ:
83-90
発行年:
1999年09月10日
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)