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文献
J-GLOBAL ID：200902110043938179
整理番号：99A0326724
ミクロンメータスケールの設計ルールによるナノスケールの点接触金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの作製
Fabrication of Nano-Scale Point Contact Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors Using Micrometer-Scale Design Rule.
ISHIKURO H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HITAMOTO T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 1B ページ： 396-398 発行年： 1999年01月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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