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文献
J-GLOBAL ID：200902110103340219
整理番号：97A0008676
Si基板上のβ-SiCのガスソース分子ビームエピタクシー
Gas source molecular beam epitaxy of β-SiC on Si substrates.
ZEKENTES K
(Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC)
,
BECOURT N
(Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC)
,
ANDROULIDAKI M
(Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC)
,
TSAGARAKI K
(Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC)
,
STOEMENOS J
(Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
,
BLUET J M
(GES, CNRS, Montpellier, FRA)
,
CAMASSEL J
(GES, CNRS, Montpellier, FRA)
,
PASCUAL J
(Univ. Autonoma de Barcelona)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 102 ページ： 22-27 発行年： 1996年08月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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