文献
J-GLOBAL ID:200902110232794056
整理番号:99A0378564
金属/酸化物/窒化物/酸化物/シリコン不揮発性メモリ用の酸化物/窒化物/酸化物におけるSi3N4中のキャリアトラップの分析
Analysis of Carrier Traps in Si3N4 in Oxide/Nitride/Oxide for Metal/Oxide/Nitride/Oxide/Silicon Nonvolatile Memory.
著者 (4件):
AOZASA H
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUJIWARA I
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKAMURA A
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOMATSU Y
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
3A
ページ:
1441-1447
発行年:
1999年03月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)