文献
J-GLOBAL ID:200902110269660874
整理番号:00A0437153
組成勾配のあるGe/GeSi/Si基板上に成長させたGaAsの電子的性質に及ぼすGaAsバッファの厚さの影響
Impact of GaAs buffer thickness on electronic quality of GaAs grown on graded Ge/GeSi/Si substrates.
著者 (5件):
CARLIN J A
(Ohio State Univ., Ohio)
,
RINGEL S A
(Ohio State Univ., Ohio)
,
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
BULSARA M
(Amberwave Systems Corp., Massachusetts)
,
KEYES B M
(National Renewable Energy Lab., Colorado)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
14
ページ:
1884-1886
発行年:
2000年04月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)