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文献
J-GLOBAL ID：200902110337632612
整理番号：93A0781499
Highly reliable WGe ohmic contact to GaAs-AlGaAs HBTs.
FULLOWAN T R
(AT & T Bell Lab., NJ)
,
REN F
(AT & T Bell Lab., NJ)
,
TSENG B
(AT & T Bell Lab., NJ)
,
PEARTON S J
(AT & T Bell Lab., NJ)
,
ABERNATHY C R
(AT & T Bell Lab., NJ)
,
HARRIOTT L R
(AT & T Bell Lab., NJ)
,
LANE E
(AT & T Bell Lab., PA.)
資料名：
Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3
(Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)
ページ： 239-245 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930443 ISBN： 1-55899-177-8 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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