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文献
J-GLOBAL ID：200902110356771712
整理番号：93A0629829
歪InGaAs/(Al)GaAs多重量子井戸におけるキャリア寿命
Carrier lifetimes in strained InGaAs/(Al)GaAs multiple quantum wells.
MOLONEY M H
(Trinity Coll., Dublin, IRL)
,
HEGARTY J
(Trinity Coll., Dublin, IRL)
,
BUYDENS L
(Rijkuniv. Gent, Gent, BEL)
,
DEMEESTER P
(Rijkuniv. Gent, Gent, BEL)
,
GREY R
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
WOODHEAD J
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 62 号： 25 ページ： 3327-3329 発行年： 1993年06月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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