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文献
J-GLOBAL ID：200902110440436007
整理番号：99A0222922
単結晶,多結晶及び非晶質シリコン電場エミッタアレイの表面形態とI-V特性
Surface Morphology and I-V Characteristics of Single Crystal, Polycrystalline and Amorphous Silicon FEAs.
LEE J D
(Seoul National Univ., Seoul)
,
SHIM B C
(Seoul National Univ., Seoul)
,
CHO E S
(Seoul National Univ., Seoul)
,
PARK B-G
(Seoul National Univ., Seoul)
,
UH H S
(Samsung Electronics Co., Yongin)
,
PARK S S
(Samsung Electronics Co., Yongin)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 33 号： Supplement ページ： S401-S405 発行年： 1998年11月
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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