文献
J-GLOBAL ID:200902110455409014
整理番号:99A0356947
高純度オゾンによる二酸化シリコン作製の光学的第2次高調波(SHG)によるその場表面および界面特性評価
In-situ Surface and Interface Characterization by Optical Second Harmonic Generation(SHG) of Silicon Dioxide Fabrication with High Purity Ozone.
著者 (3件):
NAKAMURA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KUROKAWA A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
号:
449
ページ:
326-330
発行年:
1998年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)