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文献
J-GLOBAL ID：200902110571393133
整理番号：00A0147075
47GHz ft HBTと0.18μm LeffのCMOSを特徴とする0.24μm SiGe BiCMOS混合信号の無線通信用素子の生産技術
A 0.24μm SiGe BiCMOS Mixed-Signal RF Production Technology Featuring a 47GHz ft HBT and 0.18μm Leff CMOS.
ST ONGE S A
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
HARAME D L
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
DUNN J S
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
STEIN K
(IBM Microelectronics Div., New York)
,
GRAY P
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
JOHNSON R
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
LANZEROTTI L
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
ORNER B
(IBM Microelectronics Div., VT)
,
ZIERA M
(IBM Microelectronics Div., VT)
資料名：
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
(Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)
巻： 1999 ページ： 117-120 発行年： 1999年
JST資料番号： W0105A ISSN： 1088-9299 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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