文献
J-GLOBAL ID:200902110596971263
整理番号:00A0833303
Photoluminescence and Raman Studies of Silicon Ion Implantation Annealing in GaAs.
著者 (9件):
SRIPAD S
(Indian Inst. Technol., Kharagpur)
,
BHUNIA S
(Indian Inst. Technol., Kharagpur)
,
BOSE D N
(Indian Inst. Technol., Kharagpur)
,
KUMAR K C
(GAETEC Project, Hyderabad)
,
RAO A V S K
(GAETEC Project, Hyderabad)
,
GOVINDACHARYULU P A
(GAETEC Project, Hyderabad)
,
KHATRI R K
(Solidstate Physics Lab., Delhi)
,
BHATTACHARYA B
(Solidstate Physics Lab., Delhi)
,
BANDOPADHYAY A K
(National Physical Lab., New Delhi)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
3975
号:
Vol.1
ページ:
287-290
発行年:
2000年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)