文献
J-GLOBAL ID:200902110652439340
整理番号:94A0099346
Formation of Si/SiO2 heterostructures by low-temperature, plasma-assisted oxidation and deposition processes.
著者 (4件):
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
MA Y
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
YASUDA T
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
HABERMEHL S
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
(Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2)
ページ:
145-156
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940015
ISBN:
0-306-44419-4
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)