文献
J-GLOBAL ID:200902110665138676
整理番号:01A0523896
サファイア上の埋込ゲートAlGaN/GaN HEMTの特性評価
Characterizations of Recessed Gate AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire.
著者 (5件):
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ZHAO G-Y
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
48
号:
3
ページ:
603-608
発行年:
2001年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)