文献
J-GLOBAL ID:200902110781429610
整理番号:00A0154726
サファイア上のリセスゲートAlGaN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタ
Recessed gate AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors on sapphire.
著者 (4件):
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
1
ページ:
121-123
発行年:
2000年01月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)