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文献
J-GLOBAL ID：200902110891384078
整理番号：93A0790225
シリコン基板にエピタキシャル成長したGaP n-p構造のマイクロプラズマ
Microplasmas in epitaxial GaP p-n structures grown on silicon substrates.
ZHILYAEV YU V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg)
,
KONDRAT’EV B S
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg)
,
NAZAROV N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg)
,
TUTYGIN V S
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg)
,
FEDOROV L M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg)
資料名：
Technical Physics Letters
(Technical Physics Letters)
巻： 19 号： 3 ページ： 162-164 発行年： 1993年03月
JST資料番号： H0665A ISSN： 1063-7850 CODEN： TPLEED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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