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文献
J-GLOBAL ID：200902110931751451
整理番号：93A0794008
窒素ドープ層を有するp+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
Application of a p+ poly Si Gate with Thin Nitrogen Doped layer to Sub-1/4um Dual Gate CMOS.
岡崎幸夫
(NTT LSI研)
,
猪川洋
(NTT LSI研)
,
中山諭
(NTT LSI研)
,
小林敏夫
(NTT LSI研)
,
三宅雅安
(NTT LSI研)
,
森本孝
(NTT LSI研)
,
松田維人
(NTT LSI研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 93 号： 192(SDM93 79-88) ページ： 67-75 発行年： 1993年08月24日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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