文献
J-GLOBAL ID:200902111126810910
整理番号:93A0274542
GaAs,GaPおよびInP中の置換型すずおよびゲルマニウム不純物の状態密度 実験と理論
Densities of states of substitutional tin and germanium impurities in GaAs, GaP, and InP: Experiment and theory.
著者 (3件):
PETERSEN J W
(Univ. Aarhus, Aarhus, DNK)
,
SVANE A
(Univ. Aarhus, Aarhus, DNK)
,
HOLZSCHUH E
(Univ. Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
47
号:
4
ページ:
1811-1822
発行年:
1993年01月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)